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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络馈赠的意思安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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